Synopses & Reviews
Synopsis
Inhaltsangabe: Zusammenfassung: In der vorliegenden Arbeit wurde Aufbau und Betrieb eines injektionsstabilisierten Diodenlasersystems vorgestellt. Es wurden neben den allgemeinen Laserdiodeneigenschaften die speziellen und extrem vielf ltigen Verh ltnisse der Injektionsstabilisierung bez glich Fangbereich und Stabilit t theoretisch sowohl analytisch als auch numerisch untersucht. Die experimentellen Ergebnisse liegen in guter bereinstimmung mit der Theorie. Der Aufbau eines Diodenlasersystems in Littrow-Anordnung, welches sowohl f r die Hochleistungsdiode als auch f r die F hrungsdiode geeignet ist, wurde vorgestellt. Da bei der F hrungsdiode die Langzeitstabilit t nur eine sehr untergeordnete Rolle spielt, wird die F hrungsdiode nur mit Hilfe eines Gitters auf eine Linienbreite im Bereich einiger 100 kHz reduziert. Beide Laserdioden haben eine elektronisch stabilisierte Stromversorgung und werden mit Peltierelementen gek hlt. Dabei wird die Temperatur mit elektronischen Reglern auf +-10 mK konstant gehalten. Zuerst wurden die Eigenschaften der Hochleistungsdiode ohne Injektionsstabilisierung beschrieben. Dort ist vor allem die Modenstruktur und das Strahlprofil im Vergleich zu handels blichen Laserdioden kleinerer Leistung auff llig. Weiterhin zeigt die Diode unter bestimmten R ckkopplungsbedingungen chaotische Amplitudenoszillationen. Beim injektionsstabilisierten Betrieb l t sich die Hochleistungsdiode auf die Moden des F hrungslasers zwingen. Die G te der Ankopplung ist sehr stark vom Strom und der Temperatur der Hochleistungsdiode abh ngig, da nur innerhalb eines kleinen Bereiches das Verst rkungsmaximum der Hochleistungsdiode auf der injizierten Frequenz liegt. Die beste Ankopplung wird bei 5C und 190 mA erzielt. Bei h heren Injektionsst men ber 220 mA schwingen Eigenmoden der Hochleistungsdiode an und im Bereich von 300 mA ist zwar die injizierte Mode noch sichtbar, aber ber 95% der Energie werden auf den Eigenmoden der Hochleistungsdiode emittiert