Synopses & Reviews
Le traitement Si/N, lors de l' laboration du GaN haute temp rature et pression atmosph rique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoM talliques (EPVOM), am liore nettement la qualit morphologique, lectrique, structurale et optique. Le mode de croissance observ est un passage de 3D 2D au cours de l' paississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est r alis en utilisant respectivement le magn sium et le silicium, conduisant ainsi une homojonction p/n pour fabriquer une diode lectroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectu e.